近期，江苏长晶科技股份有限公司（下称“长晶科技”）正式发布了基于其先进FST3.0工艺平台打造的IGBT半桥模块系列。作为电力电子系统的核心部件，功率IGBT模块的性能直接关乎整个系统的效率、可靠性与综合成本。长晶科技凭借自主研发的核心技术，正以其创新产品推动电力电子系统向着更高效率、更强稳定性、更具成本竞争力的方向演进。

聚焦光伏储能，推出系列化模块解决方案

此次长晶科技推出的产品是针对光伏储能领域深度开发的1200V IGBT半桥模块系列，具体包含450A、600A与900A三种电流规格产品。该系列模块搭载了长晶科技自主研发的FST 3.0 IGBT芯片，旨在为光伏逆变器、储能变流器等核心应用场景提供高效率、强稳定性的核心技术支撑。与以往单管产品相比，模块化设计更能满足系统级应用对功率密度、集成度和可靠性的高要求。长晶科技还与国内头部驱动厂商合作，推出了根据产品参数特性定制的驱动板，并可提供相应的调试支持服务，展现了其提供完整解决方案的能力。

技术深度突破，性能对标国际先进水平

产品的卓越性能源于底层技术的坚实突破。长晶科技FST 3.0 IGBT采用了最新的微沟槽栅（1.6μm Pitch）+场终止技术，这一创新设计有效优化了发射极效率，显著提升了器件的功率密度。在具体性能表现上，该平台产品实现了多项关键指标的优化。

在通态性能方面，产品在高温条件下表现出显著的低饱和压降，这意味着系统运行时的导通损耗更低，能源转换效率更高。实测数据表明，在相同测试平台条件下，其饱和压降性能基本达到国际主流友商第七代产品的优秀水平，其中高电流900A产品MCF900N120T3E3较竞品饱和压降降低了5%至6%，实现了在高温系统下更优异的通态损耗表现。

在开关特性方面，长晶科技FST 3.0 IGBT半桥模块实现了开关应力与开关损耗之间的良好平衡。它能够在高温等恶劣条件下，既保持较低的开关能量损耗以提升系统效率，又将关断时产生的电压冲击等应力控制在安全范围内。这种优异的综合开关性能，使得采用该IGBT的功率模块能应用于对效率和长期可靠性都要求极高的光伏储能逆变器中，从而保障整个能源系统高效、稳定、持久地运行。

研发实力筑基，品牌荣誉见证

长晶科技在功率半导体领域取得的成就，离不开其持续高强度的研发投入和深厚的技术积累。公司自成立以来，始终专注于半导体产品的研发、生产与销售。在技术创新体系上，长晶科技组建了高素质的专业化研发团队，其主导的多个关键技术研究项目曾成功入选省市级重点研发计划。

强大的研发实力通过知识产权得以体现。截至2025年底，长晶科技拥有已授权的专利247件，其中发明专利85件，同时还拥有集成电路布图设计专有权130件。这些知识产权构成了公司坚实的技术护城河。在品牌与行业认可方面，长晶科技凭借其卓越的产品性能和市场表现，已连续多年被评定为“中国半导体行业功率器件十强企业”，这充分彰显了其在功率半导体领域的领先地位。

迈向世界一流，贡献中国芯力量

从分立器件到功率IC，从单管IGBT到模块化解决方案，长晶科技的发展路径清晰地映射出中国功率半导体产业自主化、高端化的进程。公司秉持创造世界一流半导体品牌的发展愿景，通过加大研发投入，提升产品质量，正逐步在新能源汽车、工业自动化、光伏储能等高端市场赢得更多机会。

面对全球能源转型和产业升级带来的巨大机遇，IGBT等功率半导体市场需求将持续增长。长晶科技将以此次FST 3.0 IGBT半桥模块的发布为新的起点，继续深耕核心技术，不断推出更高效、更可靠、更智能的产品，为构建绿色低碳、安全高效的全球能源体系，贡献不可或缺的中国芯力量。