3D XPoint是一种于2015年7月正式推出的非易失性存储技术，由英特尔和美光联合研发。其首款基于此技术的产品于2017年5月开始销售，并最终在2022年7月停止了该技术的研发工作。从本质上讲，3D XPoint是相变存储器的一种具体实现形式，主要利用硫系化合物在不同状态下（即晶态与非晶态）的电阻差异来表示数据位的“0”和“1”。

这项技术具备多项显著优势，包括但不限于高读写速度、低延迟响应时间、较高的性价比以及大容量存储能力等。此外，它还提供了长期的数据保护机制。值得注意的是，3D XPoint并不旨在完全取代现有的内存或NAND解决方案；相反，它被设计为计算机系统中一个全新的存储层级。

根据英特尔发布的信息，相较于传统的NAND闪存，3D XPoint不仅拥有更大的容量潜力，而且在性能上也表现出色：其速度比标准NAND快至少1000倍，同时使用寿命也提高了约1000倍。更重要的是，这种新型存储介质的数据密度可达到现有动态随机存取存储器(DRAM)水平的十倍以上。

3D XPoint技术是一种基于相变材料实现的数据存储方法，其核心是利用硫族化合物的电阻特性。该技术中，材料在不同物理状态下表现出不同的阻抗：在晶态时表现为低阻抗，而非晶态则呈现高阻抗。这两种状态能够对应二进制数据中的“0”和“1”，其中低阻抗代表“1”，高阻抗代表“0”。数据的写入通过向存储器施加特定电压或电流脉冲来实现，这一过程涉及将非晶态材料加热至其结晶温度区间（介于最低熔融温度与最高熔点之间），促使其转变为晶态；反之，当存储器处于晶态并受到足够强度的电压或电流激励时，材料会被加热超过其最低熔融温度达到液态，随后如果迅速冷却，则无法再次结晶回到晶态，而是保持为非晶态。值得注意的是，无论处于何种状态，3D XPoint存储单元都能长期稳定地保存信息，赋予基于此技术开发的存储设备以非易失性的特点。

3D XPoint 技术采纳了一种创新的存储阵列结构设计，这种设计使其具备了高存储密度的优势。该技术构建在由三维存储单元组成的存储阵列之上，这一阵列由行选择线层、多层存储单元以及列选择线层堆叠而成。在此架构中，行选择线与列选择线相互垂直布局，并且相邻的存储阵列层之间可共享它们的选择线层。通过施加特定电压激励于行和列选择线上，并借助选择器与快速切换单元的协助，存储单元能够实现比现有的非易失性存储器更快的状态转换速度，进而完成数据的高效擦写操作。基于3D XPoint技术开发出的产品主要包括内存、SSD固态硬盘以及缓存三大类。具体应用实例包括英特尔傲腾持久内存、英特尔傲腾固态盘及美光X100等。此外，英特尔还推出了利用3D XPoint作为高速缓存解决方案的傲腾内存和混合式固态盘产品，这些产品的设计与性能均得益于3D XPoint技术所带来的独特优势。

英特尔基于3D XPoint技术开发的傲腾产品，已经在存储、云计算、数据库管理、人工智能分析、高性能计算、通信及消费级市场等多个领域得到广泛应用。这些应用不仅展示了傲腾技术的多样性和适应性，还体现了其在不同应用场景下的卓越性能。例如，在快手的Redis服务中，通过采用英特尔傲腾数据中心级持久内存技术，成功降低了总拥有成本（TCO）达30%。此外，中国电信四川分公司利用英特尔傲腾固态盘DC P4800X优化了其自动银行机管理系统(ABM)，显著增强了系统的数据存取速度与稳定性。